【時報-台北電】AI運算需求持續推升先進半導體製程升級，全球半導體設備龍頭應用材料（Applied Materials）宣布推出兩款新一代沉積與蝕刻設備，瞄準3D邏輯元件與高層數3D NAND記憶體製造需求。隨著環繞式閘極（GAA）電晶體、HBM及3D NAND等先進架構快速普及，半導體產業正面臨材料沉積與蝕刻精度愈來愈高的挑戰，應材此次推出新設備，意在協助晶片廠突破微縮瓶頸，搶攻下一波AI晶片製造商機。

　近年AI伺服器、高效能運算（HPC）及先進封裝需求爆發，帶動晶片製程從平面結構快速走向立體化。

　無論是台積電、三星或SK海力士、三星電子、美光等記憶體大廠，均持續朝更高層數、更高密度及更低功耗方向發展。然而，當元件結構愈來愈深、愈來愈窄時，傳統沉積與蝕刻設備已面臨技術極限，成為先進製程持續微縮的重要挑戰。

　應材指出，新推出的Centris Spectral氮化矽原子層沉積系統（ALD）及Producer Selectra鉬蝕刻系統，主要鎖定先進3D邏輯晶片與高層數3D NAND應用。其中，氮化矽沉積設備可在極高深寬比結構中形成更均勻的薄膜，有助於提升先進電晶體與記憶體元件效能；而新一代選擇性鉬蝕刻設備則可精準去除特定金屬材料，改善製程控制能力並提升良率。

　市場人士分析，AI晶片效能提升已不再單純依靠製程節點縮小，而是透過材料工程、3D堆疊及先進封裝技術同步推進。因此，沉積、蝕刻、量測與材料處理等設備的重要性正快速提高。尤其進入2奈米以下世代後，材料創新已成為驅動半導體技術演進的關鍵核心之一。

　應材半導體產品事業群總裁帕布．若傑（Prabu Raja）表示，隨著AI運算持續推升產業需求，晶片製造商對於材料精準控制能力的要求愈來愈高，從邏輯元件到記憶體堆疊，都需要全新的材料工程解決方案。此次推出的新設備，正是針對先進3D架構下沉積與選擇性蝕刻需求所開發，希望協助客戶克服下一世代製程技術瓶頸。(新聞來源 : 工商時報一張瑞益／台北報導)