【財訊快報／陳孟朔】當今人工智慧(AI)與半導體領域中最具影響力的獨立情報機構SemiAnalysis發表最新研究報告顯示，隨著3D NAND堆疊層數突破300層，三星電子(005930.KS)、美光(Micron，美股代碼MU)及SK海力士(000660.KS)正陸續在字線等特定導電結構導入鉬，取代部分傳統鎢材料。這並非全面「棄鎢」，而是高層數NAND製程面臨電阻及沉積瓶頸後，開始進行的關鍵材料轉換。

3D NAND透過垂直堆疊記憶體單元提高容量，但層數增加後，字線結構變得更窄、更深，鎢的電阻及含氟製程問題逐漸放大。鉬具有較低電阻率，且可減少阻障層需求，更適合超高深寬比結構，有助改善訊號延遲、功耗及製程複雜度。

半導體研究機構SemiAnalysis指出，三星已率先在286層產品導入鉬字線，美光自2025年起跟進，鉬製程占比預計逐步提高；SK海力士則準備在下一代375層NAND中，以鉬取代部分金屬閘極字線使用的鎢，並計畫於2026年底前量產。由於每一次由鎢轉鉬都需要新的沉積設備，SemiAnalysis估計，單是NAND鉬沉積設備2027年銷售額便可能超過10億美元。

鉬的應用範圍未來可能由NAND進一步延伸至DRAM及先進邏輯晶片，SemiAnalysis估計，相關沉積設備市場到2030年可能擴大至每年約20億美元。