【時報-台北電】AI液冷散熱技術再迎架構升級，水冷板不再只追求微通道縮小，須針對不同熱源精準解熱，加上垂直供電導入，晶片背面新增散熱需求，雙面水冷架構因而浮上檯面。法人認為，新設計不僅增加水冷板使用量，其產品複雜度與單機價值也提高，具備水冷板設計、液冷系統整合能力的奇鋐（3017）、雙鴻（3324）、健策（3653）等散熱大廠可望受惠。

　業界指出，目前高階AI GPU與ASIC大量採用多晶片及異質整合封裝，使晶片各區域發熱量愈來愈不平均，也讓水冷板面臨新問題，不只是「能不能帶走更多熱」，還包括冷卻能力能否有效集中在高溫區域。

　過往微通道水冷板主要靠縮小流道尺寸，增加冷卻液與金屬接觸面積，提高熱交換效率，然若整片水冷板採均勻流道，高熱區與低熱區獲得的冷卻能力差異有限，部分冷卻液可能流經低熱區，高功耗運算區域反而仍形成熱點。

　新一代設計開始直接對應晶片熱源位置，依不同區域調整流道排列、密度及冷卻能力。以緯穎公開技術為例，其高精度微通道可依晶片實際熱分布進行客製化設計，每平方公分可處理超過350W的高熱通量。這也使高階水冷板競爭門檻從加工精度，擴大至熱模擬、流道設計及高熱通量處理能力。

　另一項改變來自供電。隨AI晶片功耗提高，目前高階AI加速器所需供電電流已超過1,000A，高電流不僅增加傳輸過程的電力損耗，也帶來更大散熱壓力。為縮短供電距���及降低損耗，次世代AI平台開始發展垂直供電，將電源轉換元件直接配置在晶片下方。

　然而，當供電元件移至晶片背面，亦帶來新的熱源。業界指出，過去水冷板主要從晶片上方帶走運算產生的熱量，如今下方電源元件同樣需要散熱，雙面水冷板因此成為新解法，上方處理AI晶片高熱通量，下方則負責垂直供電元件，兩側水冷板須分別依不同熱源設計流道與結構。

　法人認為，這對散熱廠來說不只是「多一片水冷板」。單一AI加速器從單側增加為上下雙側後，水冷板用量可望提高，而晶片與供電元件的熱量、熱點位置不同，使兩套水冷板必須分別設計，進一步拉高產品客製化程度與製造難度。(新聞來源 : 工商時報一楊絡懸／台北報導)