【時報-台北電】隨著全球加快腳步推動AI基礎建設，高頻寬記憶體（HBM）需求也進入高速成長期。繼三星電子最新記憶體搶先送樣後，對手SK海力士也趕在輝達與超微下一代AI晶片平台即將問世之際，宣布已向主要客戶提供新一代AI記憶體HBM4E樣品，正式加入戰局與三星競逐下一代AI記憶體市場。

　SK海力士表示，此次送樣的HBM4E採用12層堆疊設計，最高容量可達48GB，每個I/O接腳（pin）資料傳輸速度最高達16Gbps。相較前代產品，HBM4E的能源效率提升超過20％，並透過最新介面與設計最佳化降低資料傳輸延遲，在高頻寬環境下仍能維持穩定運作，可有效提升AI訓練、推論以及大型運算系統的資料處理效率。

　業界普遍認為，HBM4E將成為下一代AI資料中心的重要關鍵元件。未來包括輝達Rubin Ultra與超微Instinct MI500等高階AI加速器，都需要更高容量、更高頻寬的記憶體支援。隨著AI模型規模持續擴大，DRAM廠商正加速技術升級腳步。SK海力士在今年COMPUTEX展示HBM4E後數周內便送樣，而三星也在COMPUTEX同步展示HBM4E與HBM5技術，顯示兩大韓國記憶體巨頭正積極爭奪下一波AI基礎設施商機。

　技術方面，SK海力士採用先進MR-MUF封裝技術，在12層堆疊架構下實現48GB容量，同時確保結構穩定性。與前一代HBM4相比，HBM4E耐熱能力提升17％，有助於記憶體晶片在高效能運算環境中長時間穩定運作。憑藉HBM3、HBM3E及HBM4的量產與供貨經驗，SK海力士表示將持續提供經市場驗證的高可靠度記憶體解決方案，協助客戶建構下一代AI基礎設施，並緩解AI系統面臨的效能瓶頸。

　SK海力士總裁暨開發長安賢（Ahn Hyun）表示：「憑藉領先市場的技術實力與製造專業，SK海力士已透過HBM4E奠定進一步強化AI領導地位的基礎。」(新聞來源 : 工商時報一陳穎芃／綜合外電報導)