【時報-台北電】AI晶片供電正由「水平式」轉向「垂直式」，散熱架構再面臨新設計。隨電壓調節模組、微型電感等功率元件移至GPU、ASIC下方，單靠晶片正面的液冷逐漸不足，雙面水冷需求浮現。法人指出，目前相關方案已可支援4kW以上熱負載，並朝6kW發展，奇鋐（3017）、雙鴻（3324）可望受惠水冷架構升級，健策（3653）則布局封裝端散熱方案。

　業界指出，目前AI晶片核心電壓約維持0.6V～0.8V，功耗提高帶動供電電流攀升，傳統水平供電因傳輸路徑較長，高電流下電力損耗、電壓降及發熱問題加劇，促使供電轉向垂直架構，藉由縮短傳輸距離降低阻抗與功率損耗。

　供電位置改變，也直接增加散熱難度。當電源元件移至晶片背面後，傳統僅從晶片正面進行液冷逐漸不足，系統需搭配背面冷板或雙面液冷，同時處理晶片及背面電源元件產生的熱能。

　雙面水冷板不僅須整合正反兩側流道，還需兼顧散熱效率、流量、壓降及結構強度，設計及製程難度高於傳統方案。供應鏈調查指出，目前價格約為單面方案1.5～2倍；隨終端客戶評估垂直供電搭配雙面水冷設計，具精密微流道加工、真空焊接及模組整合能力的奇鋐、雙鴻，營運動能受到關注。

　另一項變化發生在封裝端。AI晶片熱設計功耗及封裝尺寸增加，封裝翹曲、共面度及熱應力也成為量產考量，市場正同步驗證單蓋、兩片式及可拆式散熱蓋等架構，其中Rubin Ultra最終方案尚未定案��市場預估最快10月～11月確認。

　法人認為，可拆式散熱蓋短中期較具放量機會，其在封裝階段先以可拆式上蓋提供機械支撐，進入ODM組裝後再移除上蓋、重新塗布熱介面材料並安裝水冷板，使冷卻結構更貼近晶片熱源，降低中間結構帶來的熱阻。隨高功耗晶片散熱架構演進，健策在封裝散熱領域的營運機會亦受市場關注。

　至於微通道液冷（MCL）等更靠近晶片端的技術，目前仍受製程整合、密封、漏液及可靠度驗證等因素限制，現階段以技術驗證與方案評估為主；長期進展來看，則朝無熱介面材料、直接微通道液冷發展，持續縮短晶片至冷卻介質的熱傳路徑。(新聞來源 : 工商時報一楊絡懸／台北報導)