（１）現象：《金融時報》報導指出，中芯國際正測試由上海宇量昇科技開發的首台國產浸潤式深紫外光（DUV）光刻機。該設備被外媒評估相當於艾司摩爾2008年的舊款型號，主要用於28奈米製程，但透過多重曝光技術也可應用於7奈米與5奈米。分析師認為，若最早2027年投入量產，將標誌中國在半導體設備自主化的重要進展。

（２）原因：受限於美歐出口管制，中國無法取得最新的EUV光刻機，只能依賴囤積的ASML DUV機台或嘗試自研。宇量昇的產品雖技術落後，但具備本土供應鏈基礎，若能量產將減少中國對進口設備的依賴。這與中國政府長期推動半導體自主化的戰略方向一致，並受到中芯國際與華為等產業龍頭支持。

（３）影響：短期內，由於中國設備性能仍落後17年，加上可靠性與量產化挑戰，對全球晶圓代工格局影響有限。中芯國際在2026年的產能擴張仍將依靠囤積的ASML設備。然而中長期來看，一旦國產DUV設備投入量產，將加強中國在成熟製程（28奈米）領域的競爭力，進而影響台灣晶圓代工在低階製程的市佔。此外，若中國實現零組件完全國產化，台灣相關設備與零組件廠商的出口需求可能面臨壓力。

（４）受影響股票：台積電（2330）

聯電（2303）

家登（3680）

漢科（3402）